漂移和擴(kuò)散負(fù)責(zé)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流，總電流密度是漂移電流和擴(kuò)散電流的總和。

　1.漂移電流

　漂移電流源于載流子響應(yīng)施加的電場(chǎng)而移動(dòng)。正載流子（空穴）沿與電場(chǎng)相同的方向移動(dòng)，而電荷載流子（電子）沿相反方向移動(dòng)。帶電粒子的凈運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生與外加電場(chǎng)方向相同的漂移電流。

　漂移速度隨電場(chǎng)增加并有助于載流子遷移率μ。漂移電流遵循歐姆定律，主要受外場(chǎng)和電荷載流子濃度的影響。

　2.擴(kuò)散電流

　電荷載流子從較高濃度移動(dòng)到較低濃度會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散電流。當(dāng)半導(dǎo)體摻雜不均勻，然后存在不均勻的載流子分布或濃度梯度時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況。在這種情況下，達(dá)到平衡的自然方式是通過(guò)粒子（載體）的擴(kuò)散，這會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散電流。該過(guò)程不需要外加電場(chǎng)，主要依靠高度集中在一個(gè)區(qū)域的相同電荷的載流子之間的排斥力。

　排斥力將驅(qū)動(dòng)電荷載流子的擴(kuò)散，導(dǎo)致濃度變化并最終均勻分布。初始載流子濃度也決定了擴(kuò)散電流的方向電流向初始電子濃度較高或空穴濃度較低的方向移動(dòng)。很簡(jiǎn)單，電流與空穴的方向相同，與電子的方向相反。

　擴(kuò)散電流與濃度梯度或載流子初始分布的不均勻程度成正比。由于載流子從高濃度區(qū)域擴(kuò)散到低濃度區(qū)域，在電流密度方程中，+q分配給電子，-q分配給空穴。

　漂移電流是由于電荷載流子在外電場(chǎng)的影響下運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的電流，而擴(kuò)散電流是由于載流子擴(kuò)散而使載流子濃度發(fā)生變化的電流。以電子為載流子，電流密度可用漂移-擴(kuò)散方程表示：

　其中q是電子電荷，μn是通過(guò)半導(dǎo)體晶體的載流子遷移率，n是電子濃度，Dn是擴(kuò)散系數(shù)。如果施加強(qiáng)電場(chǎng)，則漂移電流將主導(dǎo)整個(gè)電流密度。如果沒(méi)有施加電場(chǎng)，則電流是由載流子濃度梯度引起的。